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IXGN 50N60B
Figure 7. Dependence of E ON and E OFF on I C
Figure 8. Dependence of E ON and E OFF on R G
6
5
T J = 125°C
R G = 4. 7 ?
E (ON)
12
10
6
5
T J = 125°C
E (ON)
I C = 100A
E (OFF)
12
10
4
8
4
8
3
E (OFF)
6
3
E (ON)
6
2
4
2
I C = 50A
E (OFF)
4
E (OFF)
1
2
1
E (ON)
I C =25A
2
0
0
20
40
60
80
0
100
0
0
10
20
30
40
50
0
60
16
I C - Amperes
Figure 9. Gate Charge
I C = 25A
R G - Ohms
Figure 10. Turn-off Safe Operating Area
600
12
V CE = 250V
100
8
4
0
10
1
0.1
T J = 125°C
R G = 6.2 ?
dV/dt < 5V/ns
0
40
80
120
160
200
0
100
200
300
400
500
600
Q g - nanocoulombs
V CE - Volts
Figure 11. IGBT Transient Thermal Resistance
1
0.1
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.0 2
D=0.01
D = Duty Cycle
Single pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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